電阻爐硅控溫控制器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間: 2022-05-13 17:13:52 人氣:312 次
介紹可控硅溫度進(jìn)行控制器的組成和原理及實(shí)現(xiàn)教學(xué)方法,并著重分析介紹了pid功能的原理和實(shí)現(xiàn),結(jié)尾可以描述了系統(tǒng)的應(yīng)用發(fā)展情況.
在實(shí)驗(yàn)室分析中,樣品的溫度應(yīng)控制在適當(dāng)?shù)臏囟确秶鷥?nèi),如果傳統(tǒng)的接觸通關(guān)控制方法不僅溫度控制精度低,而且能耗高,甚至許多控制溫度不能滿足規(guī)定的要求,有時(shí)應(yīng)根據(jù)規(guī)定的溫度曲線進(jìn)行控制。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路,一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。隨著新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的進(jìn)一步加快,試樣分析的溫度要求越來(lái)越高。尋找節(jié)能環(huán)保加熱溫度控制設(shè)備,可控硅溫度控制器是一種有效的方法。
1可控硅溫度控制器的組成及原理
溫度測(cè)量和控制是通過(guò)pid溫度調(diào)節(jié)器測(cè)量和輸出0~10ma或4~20ma控制觸發(fā)板控制可控硅導(dǎo)通角的大小,從而控制主電路加熱元件的電流大小,使電阻爐處于設(shè)定溫度工作狀態(tài)。可控硅溫度控制器由主回路和控制回路組成。主電路由可控硅、過(guò)流保護(hù)快速熔斷器、過(guò)電壓保護(hù)流和電阻爐加熱元件組成。
控制系統(tǒng)回路是由直流信號(hào)進(jìn)行電源、直流工作提供電源、電流通過(guò)反饋教學(xué)環(huán)節(jié)、同步信號(hào)處理環(huán)節(jié)、觸發(fā)脈沖產(chǎn)生器、溫度檢測(cè)器和pid溫度調(diào)節(jié)器等部分重要組成。
2可控硅溫度進(jìn)行控制器的實(shí)現(xiàn)教學(xué)方法
2.1溫度檢測(cè)和脂質(zhì)調(diào)節(jié)器的組成
工業(yè)電阻爐是一種常見(jiàn)的非線性、大滯后、大慣性的工業(yè)控制對(duì)象。 電阻爐廣泛應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室樣品熔化、工件熱處理的加熱和冷卻。 根據(jù)工藝對(duì)溫度精度的不同要求,可以選擇不同類型的PID調(diào)節(jié)器,將溫度控制在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)。
對(duì)于需要恒溫控制而不需要溫度記錄的電阻爐,使用帶pid調(diào)節(jié)的數(shù)字溫度顯示調(diào)節(jié)器來(lái)顯示和調(diào)節(jié)溫度。 本發(fā)明采用0-10ma輸出作為直流信號(hào)輸入,控制晶閘管調(diào)壓器或觸發(fā)板改變晶閘管導(dǎo)通角,調(diào)節(jié)輸出功率,完全滿足要求,操作維護(hù)方便。
對(duì)于要求溫度控制精度高,多點(diǎn)溫度控制和記錄的復(fù)雜控制系統(tǒng)采用小型計(jì)算機(jī)控制是比較理想的以普通pc機(jī)和以pci總線的輸入輸出模塊組成控制系統(tǒng)可以取代以往的多個(gè)數(shù)字溫度指示調(diào)節(jié)儀,不但實(shí)現(xiàn)了設(shè)備的升級(jí)換代,而且與以往的設(shè)備完全兼容。
系統(tǒng)可以采用一個(gè)普通的pc機(jī)和康拓工控的模擬量進(jìn)行輸入和輸出板。模擬量控制輸入板采用pci總線dc/dc光隔32路12位a/d板(pci5413d),其量程選擇設(shè)置為0~312.5mv,實(shí)現(xiàn)對(duì)熱電偶不同溫度數(shù)據(jù)信號(hào)的采集。