雙向可控硅的工作原理

晶閘管是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，具有三個(gè)PN結(jié)，在分析原理時(shí)可以認(rèn)為是由PNP管和NPN管組成。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。 當(dāng)正向電壓施加到陽極A時(shí)，BG1和BG2管都處于放大狀態(tài)。 此時(shí)，如果從控制電極G輸入正向觸發(fā)信號(hào)，則基極電流ib2流過BG2，被BG2放大，并且集電極電流ic2＝。 由于BG2的集電極直接連接到BG1的基極，所以ib1＝ic2。 此時(shí)，電流ic2再次被BG1放大，從而集電極電流ic1＝。 β 1ib1=。 該電流流回BG2的基極，并表現(xiàn)為正反饋，增加IB2。由于該正向饋送循環(huán)，兩個(gè)管中的電流急劇增加，晶閘管導(dǎo)通飽和。

由于 bg1和 bg2的正反饋效應(yīng)，一旦晶閘管接通，即使控制極 g 的電流消失，晶閘管也能保持通態(tài)，使可控硅整流器不可拆卸。

　 由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化

　2,觸發(fā)導(dǎo)通

　 在控制極G上加入中國(guó)正向影響電壓時(shí)（見圖5）因J3正偏，P2區(qū)的空穴時(shí)入N2區(qū)，N2區(qū)的電子產(chǎn)品進(jìn)入P2區(qū)，形成一個(gè)觸發(fā)工作電流IGT。在可控硅的內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)正反饋促進(jìn)作用（見圖2）的基礎(chǔ)上，加上IGT的作用，使可控硅提前導(dǎo)通，導(dǎo)致圖3的伏安曲線特性O(shè)A段左移，IGT越大，特性進(jìn)行左移越快。

1.可控硅控制的概念和結(jié)構(gòu)？

晶閘管也叫晶閘管。 自20世紀(jì)50年代誕生以來，它已經(jīng)發(fā)展成為一個(gè)主要由單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、關(guān)斷晶閘管和快速晶閘管組成的大家庭。 等等。 現(xiàn)在我們使用單向晶閘管，通常稱為普通晶閘管，它由四層半導(dǎo)體材料組成，有三個(gè)PN結(jié)，外部有三個(gè)電極：第一，從P型半導(dǎo)體引出的電極稱為陽極A，從P型半導(dǎo)體第三層引出的電極稱為控制電極G。 從第四層N型半導(dǎo)體引出的電極稱為陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)[圖2（b）]可以看出，它是一個(gè)像二極管一樣朝一個(gè)方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是添加一個(gè)控制電極g，這使它具有與二極管完全不同的工作特性。

圖2

可控硅的主要工作特性

為了直觀的了解可控硅的工作特性，請(qǐng)看這個(gè)教學(xué)板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)，通過開關(guān)s連接到DC電源，注意陽極A是連接到電源的正極，陰極K連接到電源的負(fù)極，控制電極G通過按鈕開關(guān)SB連接到3V DC電源的正極(這里用的是KP5晶閘管，如果用KP1，要連接到1.5V DC電源的正極)。