1. 判別各電極

溫控可控硅的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通可控硅相似，所以溫控可控硅的電極也可以通過(guò)區(qū)分普通可控硅電極的方法找到。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。

　　2. 性能檢測(cè)

　　溫控可控硅的好壞也可以用數(shù)字萬(wàn)用表進(jìn)行大致測(cè)出來(lái)，具體分析方法可參考其他普通可控硅的檢測(cè)技術(shù)方法。

在該電路中，R是用于設(shè)定晶閘管VT的開(kāi)關(guān)溫度的分流電阻器。電阻越小，設(shè)定的開(kāi)關(guān)溫度越高。 C為抗干擾電容器，可防止晶閘管VT誤觸發(fā)。 HL為6.3 V指示燈（小珠），S為電源開(kāi)關(guān)。

談溫控電路可控硅的檢測(cè)技術(shù)方法

　　圖1 溫控可控硅的檢測(cè)電路圖

電源開(kāi)關(guān)S接通后，VT不亮，指示燈HL不亮?！盁峥諝恺X輪”用于用吹風(fēng)機(jī)加熱可控硅VT。當(dāng)溫度達(dá)到設(shè)定溫度值時(shí)，指示燈亮起，指示可控硅VT已開(kāi)啟。如果使用空氣干燥器“冷空氣”冷卻可控硅VT（或使其自然冷卻）到一定的溫度值，指示燈可能會(huì)熄滅，CR性能良好。如果電源開(kāi)關(guān)打開(kāi)，指示燈亮，或在硅膠加熱后，指示燈不亮，或在硅膠冷卻后，指示燈不關(guān)閉，測(cè)量到的硅膠擊穿損壞或性能不佳。