相信我們大家可以對于可控硅并不陌生了，現代在電氣工程行業(yè)的不斷創(chuàng)新發(fā)展，可控硅的使用管理范圍問題越來越廣，但是你對可控硅的了解有多少呢，它的主要技術參數有哪些你知道嗎？下面為大家進行講解。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。

可控硅的主要參數有：

（1）額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，可以連續(xù)通過陽極-陰極之間的50hz正弦半波電流的平均值。

(2)當沒有觸發(fā)信號施加到開路柵極并且陽極正向電壓沒有超過導通電壓時，正向阻斷峰值電壓VPF可以重復施加在晶閘管兩端的正向峰值電壓。 晶閘管承受的正向電壓峰值不應超過本手冊中給出的參數值。

(3)反向過沖峰值電壓 vpr 當晶閘管處于反向關斷狀態(tài)時，反向峰值電壓可以反復施加到晶閘管的兩端。使用時，不要超過手冊中給出的參數值。

(4)柵極觸發(fā)電流Ig1，觸發(fā)電壓VGT。在規(guī)定的環(huán)境溫度下，當在陽極和陰極之間施加一定的電壓時，晶閘管從關斷狀態(tài)變?yōu)閷顟B(tài)需要較小的柵極電流和電壓。

(5) 維持工作電流IH在規(guī)定進行溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的較小以及陽極產生正向影響電流。

近年來，許多新型可控硅器相繼出版，如適合高頻應用的快速可控硅，可用正負觸發(fā)信號雙向控制，可用正觸發(fā)信號引導，可控硅器可用負觸發(fā)信號使可控硅器關閉等。