在使用雙向CR時(shí)，應(yīng)掌握以下規(guī)則：

1. 為了傳導(dǎo)晶閘管（或三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)），必須有一個(gè)柵極電流？ IGT直到負(fù)載電流達(dá)到？ 伊爾。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。 必須滿足這一條件，并考慮到可能遇到的嘴的低溫。

圖2。若要斷開(kāi)(開(kāi)關(guān))晶閘管(或雙向晶閘管) ，負(fù)載電流必須小，并保持足夠長(zhǎng)的時(shí)間返回到截止?fàn)顟B(tài)。這些條件必須在可能的最高操作溫度下滿足。

3. 設(shè)計(jì)三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)時(shí)，盡可能避免使用3+象限（WT2-，+）。

　　4. 為減少對(duì)于雜波進(jìn)行吸收，門(mén)極連線工作長(zhǎng)度可以降至zui低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若 用硬線，用螺旋以及雙線或屏蔽線。門(mén)極和MT1間加電阻1k倩蚋 8咂蹬月返縟鶯兔偶浯擁繾琛A硪喚餼靄旆?，选用H系列低靈敏度分析雙向控制可控硅。

5.如果dVD/dt或dVCOM/dt可能導(dǎo)致問(wèn)題，請(qǐng)?jiān)贛T1和MT2之間添加RC緩沖電路。如果高dICOM/dt可能導(dǎo)致問(wèn)題，增加幾個(gè)mH電感和負(fù)載系列。另一種解決方案，使用高通信雙向硅。

6. 如果在嚴(yán)重和異常的功率瞬態(tài)期間可能超過(guò)晶閘管的VDRM，則應(yīng)采取以下措施之一：負(fù)載上串聯(lián)電感為十分之幾的不飽和電感器，以限制DIT/dt；在電源兩端使用MOV，并在電源側(cè)增加濾波電路。

殺。選擇合適的柵極觸發(fā)電路，避免三象限工況，可以大大提高雙向晶閘管的容量。

8.如果可能超過(guò)雙向可控硅的dIT/dt，負(fù)載嘴可以連接一些溫度系數(shù)為負(fù)的鐵芯電感或熱敏電阻。另一種解決方案是在電阻性負(fù)載上使用零電壓傳導(dǎo)。

　　9. 器件進(jìn)行固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到不同應(yīng)力。固定，然后通過(guò)焊接過(guò)程中引線。不要把 鉚釘芯軸放在一個(gè)器件數(shù)據(jù)接口片一側(cè)。

10對(duì)于長(zhǎng)期可靠的工作，Rthj-a足夠低，保持Tj不高于Tjmax，其值對(duì)應(yīng)于可能的嘴環(huán)境溫度。