標(biāo)準(zhǔn)1：為了接通晶閘管（或三端雙向可控硅開關(guān)），必須有大于IGT的柵極電流，直到負(fù)載電流達(dá)到IL。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。 必須根據(jù)可能遇到的低溫來滿足和考慮該條件。

規(guī)則2: 若要斷開(開關(guān))晶閘管(或雙向晶閘管) ，負(fù)載電流必須處于兩者之間，才能恢復(fù)到截止?fàn)顟B(tài)。這些條件必須在可能的高操作溫度下滿足。

準(zhǔn)則3：在設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，盡可能避免使用3+象限（wt2-，+）。

準(zhǔn)則4：為了能夠減少雜波進(jìn)行吸收，將柵極結(jié)構(gòu)連接的長(zhǎng)度逐漸變小，可以通過直接結(jié)果返回線直接連接到MT1(或陰極)。如果我們使用硬線，則使用雙螺旋線或屏蔽線。閘門與MT1之間的電阻變化小于或者等于1K。高頻旁路電容器與柵電阻串聯(lián)。另一種方式解決問題方案是使用H系列低靈敏度以及雙向可控硅。

規(guī)則5：如果DVD/DT或DVCOM/DT有問題，請(qǐng)?jiān)贛T1和MT2之間添加一個(gè)RC緩沖電路。如果高dicom/DT可能導(dǎo)致問題，增加幾個(gè)mh電感和負(fù)載串聯(lián)。另一個(gè)解決方案是使用高通信雙向硅。

標(biāo)準(zhǔn)6：在供電嚴(yán)重異常的瞬態(tài)過程中，如果可能超過三端雙向可控硅開關(guān)的電壓互感器，則采取以下措施之一：在負(fù)載上設(shè)置多個(gè)muh串聯(lián)電感，限制DIT/DT電壓互感器；連接電源，在電源側(cè)增加濾波電路。

準(zhǔn)則7: 通過選擇合適的觸發(fā)電路和避免象限條件，可以大大提高雙向晶閘管的容量。

標(biāo)準(zhǔn)8：如果可能超過三端雙向可控硅開關(guān)的DIT/DT，則在負(fù)載上串聯(lián)一個(gè)沒有芯電感或幾個(gè) μ H的負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。 另一個(gè)解決方案是電阻負(fù)載的零電壓傳導(dǎo)。

規(guī)則9：當(dāng)裝置固定在散熱器上時(shí)，避免對(duì)雙向控制可控硅施加一定壓力，然后進(jìn)行焊接連接導(dǎo)線。不要將鉚釘芯軸放在教學(xué)設(shè)備管理接口件的側(cè)面。

規(guī)則10：確保Rthj-a足夠低，可以長(zhǎng)時(shí)間可靠地工作，以保持TJ不高于Tjmax，對(duì)應(yīng)于可能的高環(huán)境溫度。