如何辨別可控硅的損壞原因？

 當可控硅損壞后需求可以查看學生剖析其緣由時，可把管芯從冷卻套中取出，翻開芯盒再取出一個芯片，調查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。整流橋將整流管封在一個殼內了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。下面我們介紹以下幾種比較常見問題表象深入剖析。

電流損壞。電流損傷的痕跡的特征是芯片被燒成一個坑和粗糙，遠離控制桿。

電壓擊穿?？煽毓?scr)被不可接受的電壓損壞，其芯片上有一個小的、發(fā)光的孔，有時可以通過擴展器看到。原因可能是電子管本身對電壓降的電阻或斷開電路時發(fā)生的高壓擊穿。

電流上升率損害。痕跡和電流損傷一樣，方向不是靠近控制桿，就是在控制桿上方。

邊緣損傷。它發(fā)生在芯片的外圓倒角處，有微小的亮孔。用放大鏡可以看到倒角面上細小的金屬劃痕。這是由制造商的粗心大意造成的。它會導致電壓崩潰。

以上4種緣由這些都是通過可控硅的常見問題損壞緣由，遇到可控硅損壞其他事情，應鎮(zhèn)定剖析。