你知道可控硅智能調(diào)壓模塊的原理嗎?
發(fā)布時間: 2022-12-05 10:35:02 人氣:376 次
晶閘管智能穩(wěn)壓模塊: 是一種以晶閘管(power electronic power power device)為基礎(chǔ),以智能數(shù)字控制電路為核心,可控硅調(diào)節(jié)器、晶閘管穩(wěn)壓器、功率調(diào)節(jié)器、功率調(diào)節(jié)器、功率控制器的功率控制電器。晶閘管一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動器件,實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn),通過歐共體CE認(rèn)證,國際ISO9000認(rèn)證,國內(nèi)3C認(rèn)證。本實(shí)用新型具有效率高、無機(jī)械噪聲和磨損、響應(yīng)速度快、體積小、重量輕等優(yōu)點(diǎn)。
智能可控硅調(diào)壓模塊的原理:
1.整流電路設(shè)計(jì)采用橋式整流,將220伏,50赫茲技術(shù)交流工作電壓變?yōu)橐粋€脈沖直流電。
2.抗干擾電路是一種普通的電源抗干擾電路。
3.晶閘管控制電路由晶閘管和降壓電阻組成。
4.張弛振蕩器由一個晶體管和一個電阻器組成。
5.充放電電路由電阻、可變電阻和電容組成。
可控硅進(jìn)行智能調(diào)壓功能模塊由可控整流部分電路和觸發(fā)設(shè)計(jì)電路分為兩部分內(nèi)容組成,其電路原里圖如下圖數(shù)據(jù)所示。從圖中我們可知,二極管D1-D4 組成橋式整流輸出電路,雙基極: 二極管T1構(gòu)成張弛振蕩器可以作為實(shí)現(xiàn)可控硅的同步觸發(fā)檢測電路。當(dāng)調(diào)壓器接上市電后,220V 交流電直接通過網(wǎng)絡(luò)負(fù)載電阻RL 經(jīng)二極管D1-D4 整流,在可控硅可控硅 的A、K 兩端之間形成自己一個社會脈動直流輸入電壓,該電壓由電阻R1降壓后作為學(xué)生觸發(fā)保護(hù)電路的直流電機(jī)電源。在交流電的正半周時,整流電壓技術(shù)通過R4、W1對電容C充電。當(dāng)充電電池電壓UC 達(dá)到T1管的峰值電流電壓UP時,T1管由截止?fàn)顟B(tài)變?yōu)閷?dǎo)通,于是利用電容C通過T1管的e、b1結(jié)和R2 迅速提高放電,結(jié)果在R2 上獲得發(fā)展一個尖脈沖。這個過程中脈沖方式作為企業(yè)控制相關(guān)信號信息送到可控硅可控硅的控制極,使可控硅導(dǎo)通??煽毓鑼?dǎo)通后的管壓降很低,一般都是小于1V,所以需要張弛震蕩器停止學(xué)習(xí)工作。當(dāng)交流電或者通過兩個零點(diǎn)是,可可控硅自關(guān)斷,當(dāng)交流電在負(fù)半周時電容C又從新中國充電。如此周而復(fù)始,便可及時調(diào)整文化負(fù)載RL上的功率了。