觸發(fā)驅(qū)動(dòng)問(wèn)題

作為開(kāi)關(guān)裝置，當(dāng)觸發(fā)脈沖的持續(xù)時(shí)間較短時(shí)，脈沖幅值必須相應(yīng)地增大，脈沖寬度也取決于陽(yáng)極電流達(dá)到保持電流的時(shí)間。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。在該系統(tǒng)中，由于感知負(fù)載的存在，陽(yáng)極電流的上升率較低，如果不施加寬脈沖來(lái)觸發(fā)，感知負(fù)載往往無(wú)法維持?？紤]到負(fù)載的高靈敏度，該系統(tǒng)采用高水平的觸發(fā)器，其缺點(diǎn)是可控硅損失太大。

　　可控硅阻斷問(wèn)題

　　可控硅是一種開(kāi)關(guān)器件，應(yīng)用過(guò)程中，影響關(guān)斷時(shí)間的因素有結(jié)溫、通態(tài)電流及其下降率、反向恢復(fù)電流下降率、反向電壓及正向dv/dt值等。其中以結(jié)溫及反向電壓影響較大，結(jié)溫愈高，關(guān)斷時(shí)間愈長(zhǎng);反壓越高，關(guān)斷時(shí)間愈短。

在系統(tǒng)中，由于感性負(fù)載的存在，當(dāng)換相發(fā)生時(shí)，電感上會(huì)產(chǎn)生很大的反電動(dòng)勢(shì)。這種異常電壓施加在晶閘管兩端，容易造成晶閘管損壞。為了防止這種情況，通常使用浪涌電壓吸收電路。

　　dv/dtdi/dt效應(yīng)分析問(wèn)題

當(dāng)dv/dt的斷態(tài)電壓臨界上升速率較大時(shí)，可以在遠(yuǎn)低于其正轉(zhuǎn)向電壓的電壓下傳導(dǎo)。如果電路上的dv/dt超過(guò)了設(shè)備允許的dv/dt值，可控硅就會(huì)誤導(dǎo)它并失去阻塞能力。在應(yīng)用電路中，可控硅的柵極通過(guò)電阻連接到陰極，從外部繞過(guò)位移電流，以防止由dv/dt引起的誤導(dǎo)性通信。

　　di/dt過(guò)大容易造成可控硅擊穿，在電路中采用前沿陡的高電平觸發(fā)以增大初始導(dǎo)通面積，從而改善di/dt容量。

由于 dv/dt 過(guò)大和 di/dt 過(guò)大，晶閘管擊穿非常嚴(yán)重。通過(guò)電路原理可以看出，這種情況會(huì)使變壓器短路并產(chǎn)生“循環(huán)”，導(dǎo)致可控硅甚至變壓器損壞。在電路設(shè)計(jì)中，采用了可靠的可控硅開(kāi)關(guān)檢測(cè)措施，避免了這種現(xiàn)象的發(fā)生。

過(guò)壓和過(guò)流保護(hù)措施

　　過(guò)電壓的產(chǎn)生，主要有通過(guò)以下主要原因：

　　(1)變壓器投入時(shí)的浪涌電壓;

       (2)變壓器分接開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的浪涌電壓；

　　(3)雷擊侵入時(shí)的浪涌電流電壓;

       (4)DC電路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的浪涌電壓。

　　在電路中，加入浪涌吸收器可以通過(guò)吸收變壓器進(jìn)行一次信息系統(tǒng)研究電磁技術(shù)轉(zhuǎn)移而侵入的浪涌電壓，同時(shí)我們還能有效吸收變壓器通斷時(shí)產(chǎn)生的磁能。為避免出現(xiàn)雷擊侵入活動(dòng)產(chǎn)生的浪涌電壓，可采用半導(dǎo)體避雷器。

消除循環(huán)是調(diào)節(jié)器的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。為了解決這個(gè)問(wèn)題，我們采取了以下技術(shù)措施：

（1）確保晶閘管觸發(fā)信號(hào)可靠。