1、使用環(huán)境要求

(1)工作場所的環(huán)境溫度范圍:-25 ° c ~ 45 ° c。整流橋將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

(2)模塊周圍應(yīng)干燥、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無灰塵和腐蝕性液體或氣體。

2、導(dǎo)通角要求

模塊在較小導(dǎo)通角時（即模塊高輸入信號電壓、低輸出一個電壓）輸出影響較大電流，這樣不僅會使學(xué)生模塊進(jìn)行嚴(yán)重發(fā)熱問題甚至可以燒毀。這是我們因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表數(shù)據(jù)顯示的電流值并未超過這個模塊的標(biāo)稱值，但有效值會超過其他模塊標(biāo)稱值的幾倍。因此，要求管理模塊設(shè)計應(yīng)在具有較大導(dǎo)通角下（100度以上）工作。

3、模塊當(dāng)前規(guī)格的選擇

考慮到啟動時電網(wǎng)和負(fù)載的電壓波動通常是額定電流的數(shù)倍，晶閘管芯片對電流沖擊的抵抗力較差，建議在選擇模塊電流規(guī)格時留出適當(dāng)?shù)脑Ａ俊?建議選擇如下：

阻性負(fù)載: 模塊的額定電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載: 模塊的額定電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。

4、控制要求

（1）電壓為DC12V±0.5V；；紋波電壓≤30mV；輸出電流≥1a；

（2）可以通過采用一個開關(guān)控制電源，也可采用線性系統(tǒng)電源（即變壓器整流式穩(wěn)壓電源）。開關(guān)工作電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源管理要求進(jìn)行濾波電容行為必須≥2200μf／25V。

（3）控制電源極性要求正確進(jìn)入模塊控制端口，嚴(yán)禁反向連接。否則，將燒壞控制模塊電路。