使用注意事項(xiàng)

選擇晶閘管額定電壓時(shí)，應(yīng)參考實(shí)際工作條件下的峰值電壓，并留有一定的余量。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。

1.在選擇晶閘管額定電流時(shí)，除了考慮通過(guò)元件的平均電流外，還應(yīng)考慮導(dǎo)通角的大小以及散熱和通風(fēng)條件。還應(yīng)該注意的是，外殼溫度不超過(guò)相應(yīng)電流下的允許值。

2.在使用可控硅之前，您應(yīng)該使用萬(wàn)用表檢查可控硅是否處于良好狀態(tài)。如有短路或斷路，應(yīng)立即更換。

3.嚴(yán)禁用兆歐表(即搖表)檢查工作元件的絕緣技術(shù)情況。

4.電流在5A以上的可控硅器應(yīng)配備散熱器，并確保規(guī)定的冷卻條件。為了確保散熱器與硅酮控制管中心的良好接觸，應(yīng)在它們之間涂上一層薄薄的硅油或硅脂，以幫助實(shí)現(xiàn)良好的散熱。

5. 主回路晶閘管按規(guī)定采用過(guò)壓、過(guò)流保護(hù)裝置。

6.防止晶閘管控制電極正向過(guò)載和反向擊穿。

損壞原因判別

當(dāng)可控硅損壞后需要檢查分析時(shí)，可以從冷卻套中取出模具，打開(kāi)芯盒，然后取出芯片，觀察損壞痕跡，確定原因。下面介紹幾種常見(jiàn)現(xiàn)象的分析。

1.電壓擊穿。可控硅因不能直接承受工作電壓而損壞，其芯片設(shè)計(jì)中有這樣一個(gè)光潔的小孔，有時(shí)需用擴(kuò)大鏡才能看見(jiàn)。其原因分析可能是管子公司本身進(jìn)行耐壓能力下降或被電路斷開(kāi)時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。

2.電流損壞。電流損傷痕跡的特征是芯片被燒成一個(gè)坑，遠(yuǎn)離控制極。

3.當(dāng)前上升率損害。 跡線(xiàn)與電流損傷相同，并且位于柵極附近或柵極上。

4.邊緣損傷。發(fā)生在芯片的一角，有細(xì)小光滑的洞。使用放大鏡，你可以看到倒角表面上細(xì)小的金屬劃痕。這是由于制造商的安裝不小心造成的。會(huì)導(dǎo)致電壓崩潰。