晶閘管對我們來說并不陌生，晶閘管是一種電流控制型的雙極半導體器件，它尋求類似于電流源的柵極驅動單元，可以向晶閘管的柵極提供特別陡的峰值電流脈沖，以確保晶閘管在任何時間可靠地觸發(fā)。防反二極管繼電器100%負載電流老化試驗，通過歐共體CE認證，國際ISO9000認證，國內3C認證。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。 晶閘管的柵極觸發(fā)特性對晶閘管的額定值和特性參數(shù)影響很大。 可以縮短器件的導通時間，降低導通損耗，提高器件的抗di/dt能力。

觸發(fā)脈沖幅度對晶閘管開度的影響

晶閘管柵極觸發(fā)電流的大小對器件的開關速度有明顯的影響，高柵極觸發(fā)電流可明顯縮短器件的開關時間。

　　在觸發(fā)脈沖幅值僅為器件IGT時，器件雖可開通，但器件開通使用時間進行延遲出現(xiàn)明顯，會高達數(shù)十微妙，這對于提高整機生產設備的可靠有效控制、安全管理運行是不利的。

二.觸發(fā)控制脈沖持續(xù)上升發(fā)展時間(陡度)對可控硅開通的影響

觸發(fā)脈沖上升時間（陡度）對可控硅的開啟速度也有顯著影響。觸發(fā)脈沖上升時間越長，其效果就等于降低了柵極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡，上升時間越短，CR開啟時間越短。

三.可控硅可靠觸發(fā)對門極觸發(fā)源要求

（1）一般要求：

觸發(fā)脈沖電流幅度: ig = 10igt;

　　脈沖持續(xù)上升發(fā)展時間：tr≤1μs;

（2）高di/dt下的使用：

　　器件在高di/dt下運用時，特別是當可控硅的阻斷電壓很高時，在開通過程中門-陰間橫向電阻所產生的電壓可能會超過門極電壓，嚴重時，甚至會使門極電流倒流。這種負的門極電流會引起開通損耗增加，可能會導致器件高di/dt損壞。

因此，我們要求在高 di/dt 條件下使用時，柵極觸發(fā)電壓 vg 不低于20v，或者柵極電路上串聯(lián)二極管，以防止柵極電流回流。

（3）晶閘管串并聯(lián)

　　可控硅的串聯(lián)：晶閘串聯(lián)管應用時，要求其進行相互之間串聯(lián)的每個可控硅應盡我們可能地一致通過開通?？煽毓璧牟⒙?lián)：陡而強的門極觸發(fā)一個脈沖技術能使系統(tǒng)并聯(lián)可控硅開通時間特性的不平衡問題降至小，從而使有良好的均流效果。