可控硅整流器簡(jiǎn)介

晶閘管(scr)是一種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體電子器件，可以控制幾千瓦甚至兆瓦級(jí)的功率。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。從結(jié)構(gòu)上講，它是一種反向截止的三極晶閘管，由三個(gè) pn 結(jié)(pn-pn 四層)組成。該裝置的外引線有三個(gè)電極: 陰極、陽(yáng)極和控制極。該器件的反向特性(陽(yáng)極到負(fù)極)與 pn 結(jié)二極管的反向特性相似，其正向特性是器件在一定范圍內(nèi)處于高阻抗閉合狀態(tài)(正阻斷狀態(tài)，即伏安特性象限內(nèi)虛線下的實(shí)線部分)。當(dāng)暫態(tài)正向電壓大于過(guò)渡電壓時(shí)，器件迅速轉(zhuǎn)變?yōu)榈蛪捍箅娏鳡顟B(tài)。

SilCR標(biāo)記符號(hào)、伏安法特性和原理圖輪廓

處于一個(gè)正向阻斷態(tài)的器件，如果企業(yè)給予內(nèi)部控制極一低功率的觸發(fā)數(shù)據(jù)信號(hào)(使控制極-陰極PN結(jié)導(dǎo)通)，則器件可迅速被激發(fā)到導(dǎo)通狀態(tài)，之后毋須繼續(xù)發(fā)展保持一種觸發(fā)工作電流通過(guò)即可維持在通導(dǎo)狀態(tài)，此時(shí)我們?nèi)魧㈦娏骺梢越抵辆S持穩(wěn)定電流(伏安特性虛線處)以下，器件可恢復(fù)到阻斷這種狀態(tài).

CR整流器：主回路采用三相橋或雙反星帶平衡電抗器回路。可控硅組件采用高功率組件，節(jié)能，效率高。主控系統(tǒng)采用大板、高門(mén)檻抗干擾、大型集成控制板，所有模塊及集成組件均采用進(jìn)口，可靠性高。采用自動(dòng)穩(wěn)壓、流量穩(wěn)定等功能，穩(wěn)定精度優(yōu)于1%。采用0~60S軟啟動(dòng)，電鍍氧化著色時(shí)間可以任意設(shè)置，自動(dòng)定時(shí)。采用多相整流，降低輸出電壓紋波系數(shù)ru，特別適用于硬鉻電鍍工藝，表面光潔度好，涂層厚度均勻。冷卻方式：水冷、風(fēng)冷、自冷等。

晶閘管是一種功率半導(dǎo)體器件。 它具有容量大、效率高、可控性好、壽命長(zhǎng)、體積小等優(yōu)點(diǎn)，是弱電流控制與受控強(qiáng)電流之間的橋梁。 從節(jié)能的角度來(lái)看，電力電子技術(shù)被稱(chēng)為新的電氣技術(shù)。 中國(guó)能源利用率相對(duì)較低，按單位國(guó)民生產(chǎn)能耗計(jì)算，中國(guó)是法國(guó)的4.98倍，是日本的4.43倍。 因此，以晶閘管為核心的電氣控制裝置的廣泛應(yīng)用是我國(guó)有效節(jié)能的重要措施。

可控硅整流器結(jié)構(gòu)

晶閘管的四層結(jié)構(gòu)通常被描述為 npn 和 pnp 晶體管的互連。如果兩個(gè)晶體管的共基極電流放大系數(shù)分別為 α1和 α2(均為工作狀態(tài)的函數(shù)) ，則通電的必要條件是 α1 + α2？1.如果在正向阻斷狀態(tài)下向控制電極注入正電流，npn 晶體管的電流放大系數(shù) α1將迅速增加，導(dǎo)致 α2的增加，滿足導(dǎo)通條件。