晶閘管（可控硅）國(guó)際通用名稱(chēng)為晶閘管，中文簡(jiǎn)稱(chēng)可控硅。晶閘管一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。 它能在高壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小的特點(diǎn)，是一種大功率的形狀半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力和電子電路中。

可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽(yáng)極A、陰極中、控制極G三個(gè)部分引腳。雙向可控硅有第 一陽(yáng)極A1（T1），第二就是陽(yáng)極A2（T2）、控制極G三個(gè)主要引腳。只有當(dāng)一個(gè)單向可控硅陽(yáng)極A與陰極K之間是否加有正向影響電壓，同時(shí)可以控制極G與陰極間加上自己所需的正向作用觸發(fā)工作電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽(yáng)極A與陰極K間壓降約為1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制極G即使學(xué)生失去興趣觸發(fā)信號(hào)電壓，只要存在陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持積極正向激勵(lì)電壓，單向可控硅繼續(xù)發(fā)展處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓撤除或陽(yáng)極A、陰極K之間交流電壓不同極性環(huán)境發(fā)生變化改變（交流過(guò)零）時(shí)，單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止目前狀態(tài)。單向可控硅一旦企業(yè)截止，即使對(duì)于陽(yáng)極A和陰極間又重新設(shè)計(jì)加上中國(guó)正向輸入電壓，仍需在控制極G和陰極K之間需要重新學(xué)習(xí)加上具有正向行為觸發(fā)系統(tǒng)電壓之后方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止時(shí)間狀態(tài)信息相當(dāng)于一種形狀的閉合和斷開(kāi)連接狀態(tài)，用它可制成無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)。

在第一陽(yáng)極A1和第二陽(yáng)極A2之間，無(wú)論增加的電壓極性是正還是反，只要觸發(fā)電壓具有控制電極G和第一陽(yáng)極A1的正負(fù)極性不同。A1和A2之間的壓降也約為1V。一旦雙向可控硅打開(kāi)，即使觸發(fā)電壓丟失，它也可以保持打開(kāi)。只有當(dāng)?shù)谝魂?yáng)極A1和第二陽(yáng)極A2小于電壓極性變化時(shí)的維持電流或A1和A2時(shí)，才只能連接觸發(fā)電壓。