對于可控硅來說，憑借著其優(yōu)良的性能，在工業(yè)企業(yè)行業(yè)發(fā)展中被廣 泛的使用，可控硅具有硅整流電路器件的特性，它能夠在高電壓、大電流的條件下學(xué)生進(jìn)行管理工作。整流橋將整流管封在一個殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個二極管封在一起。半橋是將四個二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個半橋可組成一個橋式整流電路，一個半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過歐共體CE認(rèn)證，國際ISO9000認(rèn)證，國內(nèi)3C認(rèn)證。對于我們一些相關(guān)專業(yè)的電力信息技術(shù)研究人員，都知道可控硅的各種不同分類，但這畢竟是一個少數(shù)的，大多數(shù)人認(rèn)為對于可控硅的分類問題還是很模糊的，現(xiàn)在，的小編就和大家一起分享自己一下可控硅的分類及特點(diǎn)：

1 普通可控硅

普通可控硅技術(shù)廣泛應(yīng)用于交流/直流調(diào)頻、調(diào)光、調(diào)溫等低頻領(lǐng)域。然而，該裝置的運(yùn)行會產(chǎn)生波形失真，降低功率因數(shù)，影響電網(wǎng)的質(zhì)量。

2 雙向可控硅

雙向晶閘管可以看作是一對反并聯(lián)的公共晶閘管的集成，常用于交流電壓和功率調(diào)節(jié)電路中。 正脈沖和負(fù)脈沖都可以觸發(fā)導(dǎo)通，因此控制電路相對簡單。 其缺點(diǎn)是換向能力差，觸發(fā)靈敏度低，停機(jī)時間長。

3 光控可控硅

光控可控硅是一種利用光信號控制可控硅的觸發(fā)和導(dǎo)通的裝置。它具有較強(qiáng)的抗干擾能力、良好的高壓絕緣性能和高的瞬時過電壓承受能力，因此已應(yīng)用于高壓直流 # 背靠背、靜止無功補(bǔ)償?shù)阮I(lǐng)域。

4 逆變可控硅

因其關(guān)斷時間短(10 ~ 15s)，主要用于中頻感應(yīng)加熱。在逆變電路中，它已經(jīng)讓位于GTR、GTO和IGBT等新型器件。

5 非對稱可控硅

非對稱可控硅是一種正、反向工作電壓耐量不對稱的可控硅。而逆導(dǎo)可控硅不過是通過非對稱可控硅的一種沒有特例，是將可控硅反并聯(lián)作為一個就是二極管進(jìn)行制作在同一管芯上的功率可以集成電路器件。與普通控制可控硅相比，它具有安全關(guān)斷時間短、正向壓降小、額定結(jié)溫高、高溫環(huán)境特性好等優(yōu)點(diǎn)，主要包括用于分析逆變器和整流器中。

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