晶閘管在許多設(shè)備和儀器中都有應(yīng)用。防反二極管繼電器100%負(fù)載電流老化試驗(yàn)，通過(guò)歐共體CE認(rèn)證，國(guó)際ISO9000認(rèn)證，國(guó)內(nèi)3C認(rèn)證。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。晶閘管由于其良好的導(dǎo)電性能，受到企業(yè)的歡迎和認(rèn)可。然而，晶閘管在器件控制中非常重要。如果晶閘管失去控制，不僅會(huì)影響器件的正常運(yùn)行，還會(huì)對(duì)電路造成不可修復(fù)的損壞。那么導(dǎo)致 scr 失控的常見原因是什么？事實(shí)上，導(dǎo)致 scr 失控的情況可大致分為三類:

一：可控硅的向前阻擋力減小。在平時(shí)的應(yīng)用中，如果長(zhǎng)時(shí)間不使用晶閘管，同時(shí)由于密封不良受潮，晶閘管的正向阻斷能力容易降低，晶閘管的正向阻斷能力降低到低于整流變壓器的二次電壓，那么硅元件會(huì)不等觸發(fā)脈沖到來(lái)就自然導(dǎo)通，導(dǎo)致脈沖控制不起作用，輸出電壓波形為正半波，使得勵(lì)磁電壓升高。

二：電路中的維持工作電流密度過(guò)小。由于我國(guó)發(fā)電機(jī)進(jìn)行轉(zhuǎn)子系統(tǒng)是以一個(gè)電感設(shè)計(jì)為主的大電流通過(guò)負(fù)載，對(duì)于半控橋來(lái)講，電壓過(guò)零以后，電流控制不是零，即使半控橋在電感可以負(fù)載側(cè)設(shè)有續(xù)流管，不過(guò)我們要是續(xù)流管的管壓降高于導(dǎo)通的可控硅元件的管壓降，電感上的電流之間除了企業(yè)大部分從續(xù)流管流過(guò)外，仍有重要部分電流在原導(dǎo)通的可控硅上流過(guò)。

三：觸發(fā)器脈沖丟失。在電路系統(tǒng)正常運(yùn)行的前提下，如果三相脈沖正常，即使電流很小，可控硅元件也可以保證正常變化，就不會(huì)失控，一旦脈沖丟失，可控硅就不能保證正常變化，元件本身也會(huì)失控。

以上，是總結(jié)晶閘管失控的三大原因，希望對(duì)您有所幫助！

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