晶閘管裝置過電流保護(hù)的原因很多，采取了哪些保護(hù)措施？下面這些可控硅制造商帶你們一起去看看。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。降壓硅鏈繼電器輸入信號(hào)與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

可控硅產(chǎn)生過電流的原因有很多。當(dāng)變流器內(nèi)部的結(jié)構(gòu)元件損壞、控制或觸發(fā)系統(tǒng)之間的某些故障、可逆?zhèn)鬏敪h(huán)流過大或逆變器故障、交流電壓過高或過低或異相、負(fù)載過載等原因都會(huì)導(dǎo)致裝置中電力電子器件的耳電流超過正常工作電流。

由于采用可控硅的過流比一般的電氣工程設(shè)備的能力要低得多，因此，我們國家必須通過采取防過電流進(jìn)行保護(hù)可控硅的措施。

接下來，可控硅制造商將詳細(xì)說明可在一些可控硅裝置中采用的四種過電流保護(hù)管理措施：

1、大漏阻整流變壓器與交流進(jìn)線串聯(lián)，短路電流受電抗的限制，但當(dāng)交流電流較大時(shí)，會(huì)產(chǎn)生交流電壓降。

2、將繼電器的電流與設(shè)定值進(jìn)行比較，當(dāng)采樣電流超過設(shè)定值時(shí)，比較器的輸出信號(hào)增大移相角，以減小電流或拉逆變器進(jìn)行比較。有時(shí)候它必須停止。

3、直流快速開關(guān)對于變流裝置功率大且短路可能性較多的場合，可采用動(dòng)作時(shí)間只有2ms的直流快速開關(guān)，它可以先于快速熔斷器斷開，從而保護(hù)了可控硅，但價(jià)格昂貴所以使用不多。

4、將快速熔斷器與普通熔斷器以及進(jìn)行分析對比，快速熔斷器是專門研究可以主要用來管理作為環(huán)境保護(hù)中國電力發(fā)展半導(dǎo)體功率質(zhì)量控制系統(tǒng)器件過電流的元件，它具有經(jīng)濟(jì)快速熔斷的特性，在流過6倍額定員工工作產(chǎn)生電流時(shí)其熔斷時(shí)間企業(yè)成本費(fèi)用小于工頻的一個(gè)生命周期（20ms）。 快速熔斷器可與交流側(cè)，直流側(cè)或與可控硅橋臂串聯(lián)，后者沒有直接影響效果能夠更好。通常我們來說更加快速熔斷器的額定電壓電流（有效值IRD）應(yīng)小于安全保護(hù)可控硅額定方均通態(tài)電流（即有效值）Itrms即1.57ITAV，同時(shí)要大于流過可控硅的實(shí)際通態(tài)方均根電流（即有效值）IRMS。

以上是可用于硅可控器件的四種過流保護(hù)管理措施。希望這篇文章。