可控硅設(shè)備發(fā)展產(chǎn)生過(guò)電流的原因分析可以主要分為以下兩類(lèi):一類(lèi)是由于通過(guò)整流模塊電路企業(yè)內(nèi)部管理原因, 如整流可控硅損壞, 觸發(fā)一個(gè)電路或控制信息系統(tǒng)有故障等。晶閘管一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。可控硅通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。整流橋將整流管封在一個(gè)殼內(nèi)了。分全橋和半橋。全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起。半橋是將四個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路，一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路， 選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。其中整流橋可控硅損壞國(guó)家一類(lèi)具有較為經(jīng)濟(jì)嚴(yán)重, 一般是由于采用可控硅因過(guò)電壓擊穿,造成無(wú)正、反向阻斷技術(shù)能力，它相當(dāng)于整流橋臂發(fā)生永 久性短路，使在另外兩橋臂可控硅導(dǎo)通時(shí)，無(wú)法滿足正常換流，因而學(xué)生產(chǎn)生線間短路問(wèn)題引起過(guò)電流。另一類(lèi)則是整流橋負(fù)載情況發(fā)生各種短路而引起的過(guò)電流。另外，如整流變壓器中心點(diǎn)接地，當(dāng)逆變負(fù)載回路直接接觸中國(guó)大地時(shí)，也會(huì)發(fā)生整流橋相對(duì)地短路。

對(duì)于內(nèi)部整流橋引起的溢流和逆變器負(fù)載回路接地，常用的保護(hù)措施是接入快速保險(xiǎn)絲的方式，見(jiàn)圖。有三種訪問(wèn)模式（A、B、C）。其熔體的特性和額定電流見(jiàn)表1。

公司生產(chǎn)各種規(guī)格的可控硅智能模塊、固態(tài)繼電器模塊、臂模塊、整流橋模塊、各種控制柜及配套模塊用于觸發(fā)板、控制面板等產(chǎn)品。 真誠(chéng)期待與公司及采購(gòu)人員合作，為客戶提供低成本、質(zhì)量可靠的電子元件。