對于單向SICR，柵極電壓達到門閾值VGT，柵極電流達到閾值IGT。晶閘管一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。可控硅通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。降壓硅鏈繼電器輸入信號與TTL和COMS數(shù)字邏輯電路兼容。當(dāng)觸發(fā)電流的脈沖寬度較窄時，應(yīng)增加觸發(fā)電平。當(dāng)負載電流超過定向SIC的鎖存電流IL時，即使柵極電流降低到零，SIC仍然保持導(dǎo)電。為了確保電路也能在較低的環(huán)境溫度下正常工作，驅(qū)動電路需要提供足夠高的電壓、電流和占用空間

空比的控制信號。

在高溫下，由于陽極和陰極之間的漏電流，高靈敏度單向晶閘管可能會錯誤觸發(fā)，因此不應(yīng)超過TJMAX。 為了可靠地關(guān)斷單向晶閘管，負載電流必須下降到保持電流IH以下并保持一定時間。

標(biāo)準的雙向晶閘管可以由正向柵極電流觸發(fā)，也可以由反向柵極電流觸發(fā)，這種觸發(fā)可以在四象限內(nèi)進行。當(dāng)負載電流為零時，由反相直流或單極脈沖(柵)電流觸發(fā)。

在常見的交流相位控制電路中，如電燈調(diào)光器、家用電機調(diào)速器等，晶閘管G和MT2的極性要一致，在設(shè)計晶閘管時要避免工作在3+區(qū)(MT2是-而G是+)。

值得我們注意的是，雙向可控硅可能在進行一些學(xué)生意想不到的情況下觸發(fā)導(dǎo)通，其后果有些企業(yè)問題影響不大，而有些則有一個潛在的破壞性。

1.柵極上的噪聲電平

在電噪聲環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并且有足夠的柵極電流來刺激SIC內(nèi)部的正反饋。在安裝時，首先使門外的連接盡可能短。當(dāng)連接不能很短時，可利用絞合線或屏蔽線來減少干擾的侵入。然后在G和MT1之間增加一個1kΩ的電阻，以降低其靈敏度，還可以同時增加一個100nF的電容器，以濾除高頻噪聲。

2. 開關(guān)電壓變化率

當(dāng)驅(qū)動大感性負載時，負載電壓和電流之間存在較大的相移。當(dāng)負載電流為零時，雙向晶閘管開始反向，但由于相移，電壓不為零。晶閘管需要快速關(guān)閉這個電壓。如果換向電壓的變化超過允許值，則沒有足夠的時間釋放結(jié)之間的電荷，并迫使雙向晶閘管重新接通。

為了能夠克服通過上述分析問題，可以在端子MT1和MT2之間加一個RC網(wǎng)絡(luò)來限制工作電壓的變化，以防止誤觸發(fā)。一般，電阻取100Ω，電容取100nF。值得我們注意的是此電阻數(shù)據(jù)不能直接省掉。

3.關(guān)于企業(yè)轉(zhuǎn)換電流進行變化率

當(dāng)負載電流增加，電源頻率增加或電源為非正弦波時，轉(zhuǎn)換電流的變化率會變高，在感知負載的情況下容易發(fā)生，也容易導(dǎo)致設(shè)備的損壞。此時，在負載中是可能的

電路中串聯(lián)連接的幾個毫亨的空氣電感。

4.